BUILDING A BETTER FUTURE THROUGH CONVERGENCE
솔브레인은 식각액과 세정액, CMP Slurry, Precursor 등 반도체 핵심 공정에 필요한 다양한 화학 재료를 안정적으로 공급하며 성장을 거듭해왔습니다. 세계 최고의 반도체업체를 대상으로 초고순도의 화학 소재를 제공하고 있으며, 한국과 중국에 생산기반을 갖추고 글로벌 경영을 확대하고 있습니다. 또한 초미세공정, 3D 구조로의 전환과 같은 반도체 공정 기술의 급격한 변화에 효과적으로 대응할 수 있는 새로운 소재 개발을 적극 추진하고 있습니다.
SiO₂ 박막 증착용 화합물인 TEOS를 국내 최초로 국산화한 이래, 고유전율(High-k) 물질, 확산 방지막용 Precursor 등 다양한 초고순도의 CVD/ALD Precursor들을 생산해 왔습니다. 또한 반도체 공정의 미세화에 대응해 새로운 High-k 물질, 배선 재료, 확산방지막 재료, Low-k 재료, Gap-fill 재료 등도 지속적으로 개발 및 지원하고 있습니다.
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고집적화, 초박막화 되어가는 반도체 공정 변화에 부응하기 위해 Multi Functional Cleaning 및 High Functional Etch 성능이 요구되고 있습니다. 솔브레인은 Low-and-high E/R Chemical과 High Selectivity Chemical 분야의 선두주자로 다양한 기능의 식각액과 세정액 솔루션을 개발 및 공급하고 있습니다.
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반도체 산화막 식각과 세정에 사용되는 HF(Hydrofluoric Acid)/ BOE(Buffered Oxide Etchant)는 반도체급 초고순도 제품입니다. 솔브레인은 HF/BOE 원재료 내재화를 바탕으로 시장에서의 경쟁력을 강화함과 동시에 끊임없는 기술 개발을 통해 반도체 공정 변화에 발맞추어 나가고 있습니다.
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반도체 제품의 고집적화에 따라 막질의 평탄화를 위해 도입된 재료로, 고집적 반도체 배선 형성을 위한 절연막, 금속막을 평탄화할 때 사용합니다. ILD/IMD, STI/SOD, W, Cu 등의 CMP 공정에 사용되는 Silica와 Ceria Slurry 제품을 생산하고 있으며, 평탄화 특성이 우수하고 스크래치 발생이 낮은 신제품을 지속적으로 개발하여 수율 향상에 기여하고 있습니다.
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구리는 알루미늄보다 낮은 비저항 값과 높은 전자이동 특성을 가지고 있어 반도체용 배선 재료로 유용하게 사용되나, CVD/ALD 증착이 어렵기 때문에 배선 형성을 위해서는 웨이퍼에 구리를 전기도금하는 공정이 필요합니다. 솔브레인은 이 공정에 사용되는 구리도금액을 공급하고 있으며, 차세대 반도체에서 요구되는 고성능 도금액과 첨가제에 대한 개발을 지속적으로 진행하고 있습니다.
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